上海機(jī)電設(shè)備招標(biāo) 對下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo)，于2020-01-20在中國電力招標(biāo)采購網(wǎng)公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。
1、招標(biāo)條件
項目概況:中芯集成電路制造 計劃為中芯紹興IGBT模組生產(chǎn)線項目購買一批工藝生產(chǎn)設(shè)備
資金到位或資金來源落實情況:資金已到位
項目已具備招標(biāo)條件的說明:項目已具備招標(biāo)條件
2、招標(biāo)內(nèi)容
招標(biāo)項目編號:0613-204022150087/09
招標(biāo)項目名稱:中芯紹興IGBT模組生產(chǎn)線項目第二十批設(shè)備——金屬膜厚測量儀
項目實施地點:中國浙江省
招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):

序號	產(chǎn)品名稱	數(shù)量	簡要技術(shù)規(guī)格	備注
1	高束流離子注入機(jī)	2	實現(xiàn)陽離子注入晶圓內(nèi)部，達(dá)到總劑量，厚度分布及均勻性指標(biāo)	/
2	氧化刻蝕機(jī)	2	1、實現(xiàn)氧化刻蝕要求etch rate >1500A/min 2、主刻蝕比氧化層選擇比大于150:1 3、Chamber 與chamber 差異小于5%。
3	硼磷氧化擴(kuò)散爐	2	實現(xiàn)硼磷氧化擴(kuò)散，均勻性好
4	低壓退火設(shè)備	2	實現(xiàn)低壓成膜，均勻性好
5	氮化硅生長機(jī)	1	實現(xiàn)氮化硅生長，均勻性好
6	非摻雜多晶硅生長機(jī)	1	實現(xiàn)非摻雜多晶硅生長，修復(fù)表面晶格損傷，均勻性好
7	低壓成膜氧化爐(TEOS)	2	實現(xiàn)低壓成膜，均勻性好
8	干法去膠機(jī)	3	1.Strip Rate:56000+/-3000A/min 2.Strip Rate Uni : <8% 3.WPH>120P/H
9	金屬膜厚測量儀	1	測量晶圓表面金屬膜厚
10	全自動減薄機(jī)	1	全自晶圓背面減薄
11	全自動晶圓切割機(jī)	1	全自動晶圓切割

3、投標(biāo)人資格要求
投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:1）具有獨(dú)立的法人資格，相應(yīng)的經(jīng)營范圍。投標(biāo)方應(yīng)具有正規(guī)注冊的辦事處、維修站及零備件保稅庫。在中國境內(nèi)應(yīng)有專門負(fù)責(zé)的經(jīng)驗豐富的維修工程師和專門的技術(shù)應(yīng)用支持工程師。 2）投標(biāo)人提供的設(shè)備需要在業(yè)界有安裝使用的經(jīng)驗 。
是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受
未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以
4、招標(biāo)文件的獲取
招標(biāo)文件領(lǐng)購開始時間:2020-01-20
招標(biāo)文件領(lǐng)購結(jié)束時間:2020-02-01
是否在線售賣標(biāo)書:否
獲取招標(biāo)文件方式:現(xiàn)場領(lǐng)購
招標(biāo)文件領(lǐng)購 招標(biāo)文件售價:￥500/$80
5、投標(biāo)文件的遞交
投標(biāo)截止時間 :2020-02-17 09:30
投標(biāo)文件 未曾在中國電力招標(biāo)采購網(wǎng)（m.bidijas.cn）上注冊會員的單位應(yīng)先注冊。登錄成功后根據(jù)招標(biāo)公告的相說明下載投標(biāo)文件！

項目 聯(lián)系人：李楊  
咨詢電話：010-51957458 
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備注：欲購買招標(biāo)文件的潛在投標(biāo)人,注冊網(wǎng)站并繳納因特網(wǎng)技術(shù)服務(wù)費(fèi)后，查看項目業(yè)主，招標(biāo)公告，中標(biāo)公示等，并下載資格預(yù)審范圍，資質(zhì)要求，招標(biāo)清單，報名申請表等。為保證您能夠順利投標(biāo)，具體要求及購買標(biāo)書操作流程按公告詳細(xì)內(nèi)容為準(zhǔn)，以招標(biāo)業(yè)主的解答為準(zhǔn)本。

編輯：chinabidding.c