國際標招標公告
1、招標條件
*項目概況：通孔側(cè)壁磁控濺射設(shè)備：該設(shè)備可用于硅通孔（TSV）側(cè)壁阻擋層（Ti）與種子層（Cu）的磁控濺射工藝以及平面向下濺射工藝，具備深孔內(nèi)成膜與RDL成膜能力，適合于TSV/UBM/RDL工藝。、
高精度修頻機：該設(shè)備為薄膜修整/調(diào)頻設(shè)備，是用于修整各種金屬/非金屬、導電/非導電薄膜以進一步提高薄膜的膜厚均勻性，亦可用于晶圓上FBAR器件或SAW器件的頻率調(diào)整。。
*資金到位或資金來源落實情況：資金已到位。
*項目已具備招標條件的說明：本項目于已取得立項批復。
2、招標內(nèi)容
*招標項目編號：0618-204TC200Y02L-1、2
*招標項目
*項目實施
CIP中國北京
（買方項目現(xiàn)場）
1包
2
高精度修頻機
1
8個月
CIP中國北京
（買方項目現(xiàn)場）
2包
3、投標人資格要求:
通孔側(cè)壁磁控濺射設(shè)備、高精度修頻機投標人須提供下列證明文件：
1）如果投標人按照合同提供的貨物不是投標人自己制造的，投標人必須具有下列授權(quán)文件之一：
■制造商出具的授權(quán)函正本原件(制造商格式亦可接受)；
■制造商的國內(nèi)全資子公司出具的授權(quán)函正本原件(需提供制造商與國內(nèi)全資子公司關(guān)系文件)；
■制造商對授權(quán)的區(qū)域代理商(總經(jīng)銷商)出具的授權(quán)函復印件及該區(qū)域代理商(總經(jīng)銷商)出具的授權(quán)函（專項授權(quán)書需正本，非專項授權(quán)書正本備查）（授權(quán)書格式參照招標文件第一冊“格式IV-9-4”）；
2)證明投標人已具備履行合同所需的財務(wù)、技術(shù)和生產(chǎn)能力的文件（格式參照招標文件第一冊“格式IV-8、IV-9”）；
3）業(yè)績要求：無；
4）投標人須提供其
5）其他資格證明文件：無。 *是否接受聯(lián)合體投標：√□不支持 □支持 *未領(lǐng)購招標文件是否可以參加投標：√□不可以 4、招標文件的獲取與投標文件的遞交 *招標文件領(lǐng)購開始時間：2020年4月28日 *招標文件領(lǐng)購截止時間：2020年5月8日 *招標文件領(lǐng)購方式：現(xiàn)場領(lǐng)購
電子下載：□是 √□否 *招標文件售價：200元人民幣/35美元 其他說明： *投標截止時間（開標時間）2019年5月19日下午14:00時 沒有在中國電力招標采購網(wǎng)（m.bidijas.cn）上注冊會員的單位應先點擊注冊。登錄會員區(qū)根據(jù)招標公告的相應說明獲取招標文件！ 聯(lián)系人：李楊
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來源：中國電力招標采購網(wǎng)?編輯：cntcitc.co
